7月1日，韓國三星先進技術研究院與首爾國立大學的聯合研究團隊在國際學術期刊《NATURE》(自然)發表最新MicroLED研究成果，其成功研發出直徑1.5微米的高效紅光InGaN基MicroLED，峰值外量子效率(EQE)達6.5%，峰值波長649nm，且具備柔性特性，可突破AR、VR等元宇宙設備微型化、高清化顯示的關鍵瓶頸。

　　具有不同ALD鈍化層的紅光納米LED的光致發光(PL)和電致發光(EL)(圖片來源：NATURE)

　　研究團隊采用1nm厚的外延氮化鋁(AlN)鈍化層技術，通過氬等離子體輔助原子層沉積(ALD)工藝，在MicroLED側壁形成單晶AlN薄膜。這種超薄鈍化層能有效減少非輻射復合，解決了傳統紅光MicroLED因尺寸縮小(<5微米)導致的效率驟降問題。對比實驗顯示，該技術使光致發光強度提升2.5倍，發光衰減時間延長4倍，遠超傳統二氧化鉿(HfO?)或三氧化二鋁(Al?O?)鈍化層的性能。

　　而為實現Micro LED柔性顯示，研發團隊將MicroLED陣列倒裝鍵合到聚酰亞胺(PI)基板，通過控制界面附著力實現硅襯底無剝離移除，最終獲得厚度不足20μm的柔性器件。測試結果表明，這種柔性紅光MicroLED在彎曲狀態下仍保持穩定發光，亮度均勻性良好。

　　柔性e-AlN鈍化紅色Micro LED的器件轉移(圖片來源：NATURE)

　　研究團隊表示，該成果突破了紅光MicroLED效率與尺寸、剛性基板的限制。其1.5μm的發光尺寸和6.5%的EQE，滿足超高密度(>5000ppi)顯示需求，可應用于AR眼鏡甚至電子隱形眼鏡等下一代設備。未來，通過優化銦鎵氮外延層和集成驅動電路，有望進一步提升效率均勻性，推動全彩柔性MicroLED顯示的商業化進程。